Tower Semiconductor تحدد توسعا بقيمة $3bn لخطوط 300mm في اليابان
ذكرت Tech Monitor أن Tower Semiconductor تخطط لتوسيع تصنيعها في اليابان بقيمة $3bn بدعم من منح حكومية يابانية قدرها $1bn. وتشمل الخطة سعة 300mm للفوتونيات السيليكونية وSiGe والتغليف المتقدم، لكن المنشأة الثانية لا تزال مشروطة بالاتفاقات ذات الصلة.
تخطط Tower Semiconductor لتوسيع سعة تصنيع شرائح 300mm في اليابان بقيمة $3bn، مع ذكر Tech Monitor أن المشروع مدعوم بمنح حكومية يابانية قدرها $1bn. وتشمل خطة شركة الشرائح الإسرائيلية الفوتونيات السيليكونية وSilicon Germanium وعمليات التغليف المتقدم في موقعين يابانيين.
قالت Tech Monitor إن التوسع منظم في مسارين. يعيد المسار الأول استخدام منشأة Panasonic Semiconductor Arai السابقة، التي أصبحت جزءا من عمليات Tower Semiconductor، بينما سيضيف المسار الثاني منشأة 300mm جديدة بجوار Fab 7 في Uozu.
منشأة Arai تضيف سعة للفوتونيات السيليكونية 300mm
ستخصص منشأة Arai السابقة التابعة لـ Panasonic، والمعروفة سابقا باسم Fab 6، لتصنيع الفوتونيات السيليكونية. وذكرت Tech Monitor أن Tower Semiconductor تتوقع أن تكون عمليات Arai جاهزة بالكامل للإنتاج في الربع الرابع من 2027.
تضيف المرحلة الأولى سعة للفوتونيات السيليكونية 300mm والتغليف المتقدم. وتتوقع Tower Semiconductor أيضا أن يساعد عمل Arai على تعظيم إنتاج 300mm في Fab 7 في Uozu، بحسب Tech Monitor.
ربطت Tower Semiconductor خطة المسار الأول بتحديث نموذج أعمالها. وتستهدف الشركة إيرادات قدرها $3.6bn وصافي ربح قدره $1.2bn في 2028، استنادا إلى توقعات النمو من تلك المرحلة.
منشأة Uozu تعتمد على توقيع الاتفاقات
سيبني المسار الثاني منشأة 300mm إضافية بجوار Fab 7 في Uozu. وذكرت Tech Monitor أن الموقع مشروط بتوقيع وإغلاق الاتفاقات ذات الصلة، ما يجعل المرحلة الثانية أقل حسما من تحويل Arai.
ستزيد منشأة Uozu المخطط لها سعة إنتاج الفوتونيات السيليكونية وSilicon Germanium. ووصفت Tower Semiconductor هدف السعة بأنه استجابة للطلب من عملاء الذكاء الاصطناعي والاتصالات البصرية ومراكز البيانات.
قالت الشركة إن التوسع ذي المسارين يهدف إلى تعزيز سلسلة توريد أشباه الموصلات في اليابان. ولا تسمي الخطة العامة طلبات العملاء أو التزامات التوريد الموقعة أو أهداف الاستخدام أو الاتفاقات ذات الصلة المطلوبة لمنشأة Uozu الثانية.
